Infineon FF200R12MT4

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 200 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT4
Tipo de diodo Diode
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 1.5 A
Package EconoDUAL™ 3
Número de chaves 2
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.05 K/W
Temperatura de operação -40 °C a 150 °C
Aplicações Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motores
Isolamento Isolado

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FF200R12MT4?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FF200R12MT4 é de 1200 V.

Em qual faixa de temperatura o FF200R12MT4 opera?

O FF200R12MT4 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.

Quais são as aplicações típicas do FF200R12MT4?

As aplicações típicas do FF200R12MT4 incluem inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motores.

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