Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 200 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 2 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 2 inversores |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia eólica, drives de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT3
- Baixa indutância interna
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF200R12KT3_E?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A temperatura de operação varia de -40 °C a 125 °C.
Quais as aplicações típicas do FF200R12KT3_E?
O FF200R12KT3_E é ideal para aplicações em inversores solares, sistemas de energia eólica e drives de motor. Ele utiliza a tecnologia IGBT3 e possui alta densidade de potência.
Quais são as principais características de corrente do FF200R12KT3_E?
A corrente nominal do coletor (Ic) é de 200 A, com uma corrente de coletor pulsada (Ic, pulsado) de 400 A. A corrente de fuga reversa (Ir) é de 2 mA.