Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.1 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.05 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3
- Isolado
FAQ
Qual a tensão máxima suportada pelo FF200R12KT3?
A tensão de coletor-emissor (Vces) máxima é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FF200R12KT3 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as características de encapsulamento e número de chaves do FF200R12KT3?
O módulo utiliza o package EconoDUAL™ 3 e possui 2 chaves.