Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações industriais e de energia renovável.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua de coletor (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.05 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, drives de motor, fontes de alimentação |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do módulo FF200R12KE4?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do FF200R12KE4 é de 1200 V.
Em quais aplicações o FF200R12KE4 é tipicamente utilizado?
O FF200R12KE4 é projetado para aplicações como inversores solares, drives de motor e fontes de alimentação.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF200R12KE4?
A temperatura de operação do FF200R12KE4 varia de -40 °C a 125 °C.