Infineon FF200R06KE3

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio rápido, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio rápido, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 600 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 200 A
Tensão de saturação coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tecnologia IGBT Trench Fieldstop
Diodo de freio rápido Sim
Corrente de pico do coletor (Icm) 400 A
Tensão gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 2.5 A
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.15 K/W
Temperatura de operação -40 °C a +150 °C
Package EconoDUAL™ 3
Número de componentes 6 IGBTs + 6 Diodos

FAQ

Qual a tensão máxima que o FF200R06KE3 pode suportar?

O módulo IGBT FF200R06KE3 possui uma tensão coletor-emissor (Vces) de 600 V.

Em qual faixa de temperatura o FF200R06KE3 pode operar?

O FF200R06KE3 pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.

Quais são as principais características do FF200R06KE3?

O FF200R06KE3 é um módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodos de freio rápidos, tecnologia Trench Fieldstop, corrente contínua do coletor (Ic) de 200 A, corrente de pico do coletor (Icm) de 400 A, e é encapsulado em um package EconoDUAL™ 3, contendo 6 IGBTs e 6 Diodos.

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