Infineon FF1800R17IP5P

Avaliado como 4.00 de 5, com baseado em 1 avaliação de cliente

Consulte as Condições de Fornecimento

Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

SKU: FF1800R17IP5P Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 1800 A
Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) 2500 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de fuga reversa do diodo (Ir) 100 mA
Tensão nominal do diodo (Vr) 1700 V
Corrente nominal do diodo (If) 1800 A
Corrente nominal do diodo (If, pulse) 2500 A
Resistência térmica junção a-case (RthJC): 0.03 K/W
Package Press-Pack
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C

Recursos

  • Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5

FAQ

Qual a tensão nominal de operação do FF1800R17IP5P?

A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V, e a tensão nominal do diodo reverso (Vr) também é de 1700 V.

Qual a capacidade de corrente do FF1800R17IP5P?

A corrente nominal do coletor (Ic) é de 1800 A, com um pulso de 2500 A. A corrente nominal do diodo (If) é de 1800 A, com um pulso de 2500 A.

Quais as características térmicas e de operação do FF1800R17IP5P?

O módulo tem uma resistência térmica junção-case (RthJC) de 0.03 K/W e opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C. O pacote é do tipo Press-Pack.

Entre em Contato

Condição

Novo

Carrinho de compras