Infineon FF150R17ME3G

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 150 A
Corrente nominal do coletor pulsada (Icm) 300 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.25 K/W
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate (Ig) ±200 mA
Package EconoDUAL™ 3
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motores

Recursos

  • Tecnologia IGBT 3ª Geração (TrenchStop™)
  • Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a tensão nominal e a corrente nominal do FF150R17ME3G?

A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 150 A. A corrente nominal do coletor pulsada (Icm) é de 300 A.

Quais as aplicações típicas do módulo de potência FF150R17ME3G?

O FF150R17ME3G é projetado para aplicações em inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motores.

Qual a faixa de temperatura de operação do FF150R17ME3G e qual tecnologia IGBT ele utiliza?

A faixa de temperatura de operação do FF150R17ME3G é de -40 °C a +125 °C. Ele utiliza a tecnologia IGBT de 3ª Geração (TrenchStop™) e possui um diodo de freewheeling integrado (Fast Diode).

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