Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling rápido, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench/Fieldstop)
- Diodo de freewheeling rápido (Calanced)
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FF150R12YT3?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FF150R12YT3 opera em temperaturas que variam de -40 °C a +125 °C.
Quais as características de encapsulamento e número de componentes do módulo?
O módulo FF150R12YT3 é encapsulado em EconoDUAL™ 3 e possui 6 componentes.