Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 150 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) | 300 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF150R12RT4?
O FF150R12RT4 possui uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as temperaturas de operação do FF150R12RT4?
O FF150R12RT4 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 125 °C.
Quais as principais características do FF150R12RT4?
O FF150R12RT4 utiliza a tecnologia IGBT4, possui um diodo de freio integrado, oferece baixas perdas de condução e comutação, além de alta densidade de potência. Sua corrente nominal do coletor é 150 A (Ic), com pulso de 300 A. A tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) é de 1.8 V (típico).