Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | IGBT4 |
|---|---|
| Tensão Máxima Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Máxima Contínua de Coletor (Ic) | 150 A |
| Corrente Máxima Pulsada de Coletor (Icm) | 300 A |
| Tensão Máxima Gate | Emissor (Vgem): ±20 V |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de Transistores | 6 |
| Diodos de Roda Livre Integrados | Sim (Fast Diode) |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40 °C a +125 °C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o FF150R12MT4 pode suportar?
A tensão máxima Coletor: Emissor (Vces) é de 1200 V e a tensão máxima Gate: Emissor (Vgem) é de ±20 V.
Qual a temperatura de operação do FF150R12MT4?
A faixa de temperatura de operação do FF150R12MT4 é de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características do FF150R12MT4?
O FF150R12MT4 utiliza a tecnologia IGBT4, possui corrente máxima contínua de coletor (Ic) de 150 A, corrente máxima pulsada de coletor (Icm) de 300 A, tensão de saturação Coletor: Emissor (Vce(sat)) de 1.8 V (típico), resistência térmica (RthJC) de 0.25 K/W, e é encapsulado em EconoDUAL™ 3. Possui 6 transistores e diodos de roda livre integrados.