Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia eólica, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF150R12KT3GHOSA1?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a tensão de gate-emissor (Vge) é de ±20 V.
Em quais temperaturas o FF150R12KT3GHOSA1 pode operar?
O módulo FF150R12KT3GHOSA1 opera em temperaturas entre -40 °C e +125 °C.
Quais as aplicações típicas do FF150R12KT3GHOSA1?
O FF150R12KT3GHOSA1 é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas de energia eólica e fontes de alimentação industriais.