Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal (Ic) | 150 A |
| Corrente de pulso (Icm) | 300 A |
| Tensão de saturação Vce(sat) | 2.0 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor Vge(th): 5.5 V |
| Corrente de gate Ig | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT3
- Diodo de roda livre integrado
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF150R12KT3G?
O módulo IGBT FF150R12KT3G da Infineon possui uma tensão nominal (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF150R12KT3G?
O FF150R12KT3G pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as características de isolamento e componentes internos do FF150R12KT3G?
O FF150R12KT3G possui isolamento galvânico, tecnologia IGBT3 e diodos de roda livre integrados. Contém 6 chaves e é encapsulado em um package EconoDUAL™ 3.