Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 150 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) | 300 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT4
- Diodo de freewheeling rápido (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF150R12KS4_B2?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Em qual faixa de temperatura o FF150R12KS4_B2 pode operar?
O FF150R12KS4_B2 pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características do FF150R12KS4_B2?
O FF150R12KS4_B2 possui tecnologia IGBT4, diodo de freewheeling rápido e isolamento galvânico. Além disso, a corrente nominal do coletor (Ic) é de 150 A e utiliza o package EconoDUAL™ 3.