Descrição
Módulo de potência IGBT de alta velocidade da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente coletora contínua (Ic) | 150 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta velocidade
- Baixa perda de condução e comutação
- Isolamento galvânico
- Diodo de roda livre integrado
FAQ
Qual a tensão coletor-emissor máxima suportada pelo módulo FF150E12KE3G?
O módulo de potência FF150E12KE3G da Infineon suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de até 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o FF150E12KE3G pode operar?
O FF150E12KE3G foi projetado para operar em temperaturas que variam de -40°C a +150°C.
Quais são algumas das aplicações típicas do módulo FF150E12KE3G?
Este módulo é comumente utilizado em inversores solares, sistemas UPS (Uninterruptible Power Supply) e acionamentos de motor.