Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 1400 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) | 2800 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Temperatura de operação máxima da junção (Tj) | 150 °C |
| Package | Press-Pack |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia renovável, acionamentos de motores industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 4
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal e a corrente nominal do FF1400R17IP4P?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V, e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 1400 A. A corrente nominal do coletor em pulso (Ic, pulse) é de 2800 A.
Qual a temperatura máxima de operação do FF1400R17IP4P e qual sua tecnologia?
A temperatura máxima de operação da junção (Tj) é de 150 °C. O módulo utiliza a tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 4 e possui um diodo de freewheeling integrado (Fast Diode).
Quais são as aplicações típicas do FF1400R17IP4P e qual o tipo de encapsulamento?
As aplicações típicas incluem inversores solares, sistemas de energia renovável e acionamentos de motores industriais. O encapsulamento é do tipo Press-Pack.