Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de recuperação rápida Emitter Controlled 4.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 1400 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 2800 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.1 V (típico) |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo | Emitter Controlled 4 |
| Configuração | Ponte completa (Full Bridge) |
| Tensão de isolamento | 4800 Vrms |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Package | Module |
Recursos
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal do Infineon FF1400R17IP4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo Infineon FF1400R17IP4 pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a +125 °C.
Quais são as características da tecnologia IGBT e do diodo utilizados no FF1400R17IP4?
Este módulo utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e um diodo Emitter Controlled 4. Além disso, possui baixas perdas de condução e comutação.