Infineon FF1400R12IP4P

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Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente nominal contínua do coletor (Ic) 1400 A
Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) 2800 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Package Press-Pack
Configuração Half Bridge
Temperatura de operação -40°C a +125°C

Recursos

  • Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 4
  • Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Alta densidade de potência
  • Isolamento térmico otimizado

FAQ

Qual a tensão nominal de operação do FF1400R12IP4P?

A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.

Quais as principais características de desempenho do FF1400R12IP4P?

O FF1400R12IP4P possui corrente nominal contínua do coletor (Ic) de 1400 A, corrente nominal pulsada do coletor (Icm) de 2800 A, e tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) de 1.8 V (típico). Ele utiliza a tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 4 e possui um diodo de freewheeling integrado.

Em quais tipos de aplicações o FF1400R12IP4P é comumente utilizado?

Este módulo de potência IGBT é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia. Ele opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C e possui configuração Half Bridge, sendo encapsulado em um package Press-Pack.

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