Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia com alta eficiência.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 1200 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 2400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.1 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico otimizado
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FF1200R17KP4_B2?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF1200R17KP4_B2?
O FF1200R17KP4_B2 opera em temperaturas que variam de -40°C a +125°C.
Quais as características do encapsulamento e quais as aplicações do FF1200R17KP4_B2?
O FF1200R17KP4_B2 utiliza o package Press-Pack. Ele é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia com alta eficiência, aproveitando a tecnologia IGBT 4, baixas perdas e alta densidade de potência.