Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 1200 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) | 2400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Número de chaves | 2 |
| Configuração | Half-bridge |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores de alta potência, acionamentos de motores, sistemas de energia renovável. |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4. IGBT 4 (E4) com baixa saturação de tensão.
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF1200R17KE3?
O módulo IGBT FF1200R17KE3 opera com uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1700 V e tensão de gate (Vge) de ±20 V.
Quais as aplicações típicas do FF1200R17KE3?
O FF1200R17KE3 é projetado para aplicações como inversores de alta potência, acionamentos de motores e sistemas de energia renovável.
Quais as características de corrente e temperatura do FF1200R17KE3?
O módulo FF1200R17KE3 possui corrente nominal do coletor (Ic) de 1200 A, corrente de pulso do coletor (Ic, pulse) de 2400 A e pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a +125 °C.