Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 1200 A |
| Corrente nominal do coletor contínua (Ic,cont) | 750 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de semicondutores | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF1200R17IP5P?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V. A tensão de gate (Vge) suportada é de ±20 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF1200R17IP5P?
O FF1200R17IP5P pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características de potência do FF1200R17IP5P?
O FF1200R17IP5P possui uma corrente nominal do coletor (Ic) de 1200 A, corrente nominal contínua do coletor (Ic,cont) de 750 A, e tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) típica de 2.0 V. Ele integra um diodo de freewheeling e utiliza a tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5.