Infineon FF1000R17IE4P

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 1000 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT4
Diodo de freewheeling Fast Diode
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate (Ig) 100 mA
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.02 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, UPS, acionamentos de motor
Configuração 2 inverters IGBT com diodo de freewheeling

FAQ

Qual a tensão máxima que o IGBT FF1000R17IE4P suporta?

A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V.

Quais as aplicações típicas do módulo de potência FF1000R17IE4P?

O FF1000R17IE4P é projetado para aplicações como inversores solares, UPS e acionamentos de motor.

Qual a faixa de temperatura de operação do FF1000R17IE4P?

O módulo FF1000R17IE4P pode operar em temperaturas de -40 °C a +125 °C.

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