Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e Emitter Controlled Diode 4. Projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 1000 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo | Emitter Controlled Diode 4 |
| Configuração | Módulo de potência |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vcesat): 2.1 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | Module |
| Número de pinos | 10 |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia renovável, acionamentos de motores industriais |
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor suportada pelo FF1000R17IE4?
O FF1000R17IE4 suporta uma tensão do coletor-emissor (Vces) de 1700 V.
Em quais aplicações o FF1000R17IE4 é comumente utilizado?
O FF1000R17IE4 é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas de energia renovável e acionamentos de motores industriais.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF1000R17IE4?
A temperatura de operação do FF1000R17IE4 varia de -40 °C a +150 °C.