Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações industriais exigentes.
Especificações
| Tensão nominal | 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua (Tc=100°C) | 900 A |
| Corrente nominal pulsada (Tp=1ms) | 1200 A |
| Tensão de saturação Vce(sat) (Ic=900A, Vge=15V) | 2.0 V (máx.) |
| Tensão de gate Vge | ±20 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.025 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Configuração | 6-pack |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FD900R12IP4DV?
O módulo de potência IGBT FD900R12IP4DV da Infineon opera com uma tensão nominal de 1200 V.
Quais as características térmicas do FD900R12IP4DV?
O FD900R12IP4DV tem uma resistência térmica junção-case (RthJC) de 0.025 K/W e opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.
Quais são as principais características e aplicações do FD900R12IP4DV?
O FD900R12IP4DV é um módulo de potência IGBT 6-pack Press-Pack, que utiliza a tecnologia IGBT 4. Ele é projetado para aplicações industriais exigentes, com baixas perdas de condução e chaveamento, e alta densidade de potência.