Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de energia industrial e automotiva.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 4500 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 800 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 45ª geração
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FD800R45KL3-K_B5?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 4500 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FD800R45KL3-K_B5 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do FD800R45KL3-K_B5 e qual sua tecnologia?
Este módulo é projetado para aplicações de energia industrial e automotiva, utilizando a tecnologia IGBT de 45ª geração, que proporciona baixas perdas de condução e comutação.