Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 800 A |
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic,cont) | 800 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic,R) | 2 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente de gate | emissor (Ige): ±200 nA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.02 K/W |
| Temperatura de operação da junção | -40 °C a 150 °C |
| Package | Press-Pack |
| Número de chaves | 2 |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia renovável, acionamentos de motores de alta potência |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente nominal do FD800R17KE3_B2?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do FD800R17KE3_B2 é de 1700 V, e a corrente nominal do coletor (Ic) e a corrente contínua do coletor (Ic,cont) são de 800 A.
Em que faixa de temperatura o FD800R17KE3_B2 pode operar?
O FD800R17KE3_B2 pode operar em uma faixa de temperatura da junção de -40 °C a 150 °C.
Quais são as aplicações típicas do FD800R17KE3_B2?
O FD800R17KE3_B2 é projetado para aplicações em inversores solares, sistemas de energia renovável e acionamentos de motores de alta potência. Ele utiliza tecnologia IGBT 4 e possui 2 chaves, e package Press-Pack.