Infineon FD600R17KE3_B2

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 600 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate (Ig) ±200 mA
Package Module
Configuração 3-Phase Bridge
Temperatura de operação -40°C a +125°C

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Alta densidade de potência

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FD600R17KE3_B2?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FD600R17KE3_B2 é de 1700 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?

O módulo FD600R17KE3_B2 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.

Quais as aplicações típicas do FD600R17KE3_B2?

O FD600R17KE3_B2 é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia, sendo um módulo de potência IGBT de alta eficiência.

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