Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 200 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) | 400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±300 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.06 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
- Isolamento elétrico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FD200R12KE3P?
O módulo IGBT FD200R12KE3P opera com uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FD200R12KE3P?
O FD200R12KE3P opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características de encapsulamento e tecnologia do FD200R12KE3P?
O FD200R12KE3P possui encapsulamento EconoDUAL™ 3 e utiliza a tecnologia IGBT 4. Possui também 6 chaves IGBT, diodo de roda livre integrado e isolamento elétrico.