Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 400 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±300 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6-IGBT com diodo freewheeling |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3ª Geração (TrenchStop®)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FD200R12KE3?
O FD200R12KE3 possui uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as características de corrente do FD200R12KE3?
A corrente nominal do coletor (Ic) é de 200 A, com corrente de pico do coletor (Icm) de 400 A. A corrente de gate (Ig) é de ±300 mA.
Em qual faixa de temperatura o FD200R12KE3 pode operar?
O FD200R12KE3 pode operar em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C. Possui ainda uma resistência térmica junção-case (RthJC) de 0.25 K/W.