Descrição
Módulo de potência Infineon com tecnologia EiceDRIVE, projetado para aplicações de inversores solares e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal | 3300 V |
|---|---|
| Corrente nominal | 1000 A |
| Tecnologia | EiceDRIVE |
| Configuração | 6-pack IGBT |
| Tensão de gate | +/- 15 V |
| Corrente de gate | 10 A |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Package | EiceDRIVE |
| Proteção contra sobrecorrente e curto | circuito |
Recursos
- Baixa indutância de gate
- Alta densidade de potência
- Baixas perdas de comutação
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente nominal do módulo FD1000R33HL3-K?
A tensão nominal do FD1000R33HL3-K é de 3300 V e a corrente nominal é de 1000 A.
Quais as características da tecnologia EiceDRIVE utilizada no FD1000R33HL3-K?
O módulo FD1000R33HL3-K utiliza a tecnologia EiceDRIVE, oferecendo baixa indutância de gate, alta densidade de potência e baixas perdas de comutação.
Quais as principais características e aplicações do FD1000R33HL3-K?
O FD1000R33HL3-K é um módulo de potência com configuração 6-pack IGBT, projetado para aplicações como inversores solares e sistemas de energia renovável. Ele opera em temperaturas de -40°C a +125°C, possui proteção contra sobrecorrente e curto-circuito, e tensão de gate de +/- 15V com corrente de gate de 10A.