Módulo IGBT Infineon FD1000R33HE3-K
Procurando por um módulo IGBT de alta potência e desempenho excepcional? Apresentamos o Infineon FD1000R33HE3-K, um componente de última geração projetado para aplicações exigentes que requerem alta eficiência e confiabilidade.
Especificações Técnicas do FD1000R33HE3-K
O módulo IGBT Infineon FD1000R33HE3-K oferece características impressionantes, tornando-o ideal para uma variedade de aplicações de alta potência:
- Tensão coletor-emissor (VCES): 3300V
- Corrente de coletor (IC): 1000A
- Tecnologia Trench/Fieldstop para baixas perdas de comutação
- Diodo emissor controlado de 3ª geração
- Temperatura de junção operacional (Tvj op): 150°C
- Baixa tensão de saturação coletor-emissor (VCEsat) com coeficiente de temperatura positivo
- Placa base AlSiC para maior capacidade de ciclo térmico
- Pacote com CTI > 600 para alta confiabilidade
Aplicações do Módulo IGBT Infineon
Graças ao seu desempenho robusto e alta confiabilidade, o FD1000R33HE3-K é a escolha ideal para diversas aplicações, incluindo:
- Conversores de tração para veículos elétricos e trens
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de energia renovável, como inversores solares e turbinas eólicas
- Aquecimento por indução industrial
- Soldagem a arco
Benefícios do Infineon FD1000R33HE3-K
Ao escolher o módulo IGBT Infineon FD1000R33HE3-K, você se beneficia de:
- Alta eficiência energética, reduzindo perdas e custos operacionais
- Excelente desempenho térmico, garantindo operação confiável em altas temperaturas
- Robustez e durabilidade, prolongando a vida útil do equipamento
- Tecnologia avançada da Infineon, líder mundial em semicondutores de potência
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