Descrição
Módulo de potência Infineon EconoDUAL™ 3 com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodos de recuperação rápida.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 1000 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodos | Diodos de recuperação rápida (Fast Diode) |
| Configuração | 6 half-bridges |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Tensão de isolamento | 4000 Vrms |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 1200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.02 K/W |
FAQ
Qual a tensão nominal de isolamento do FD1000R17IE4?
A tensão de isolamento do módulo de potência FD1000R17IE4 é de 4000 Vrms.
Qual a faixa de temperatura de operação do FD1000R17IE4?
O FD1000R17IE4 opera em uma faixa de temperatura que vai de -40 °C a +125 °C.
Quais são as principais características elétricas do FD1000R17IE4?
O FD1000R17IE4 possui uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1700 V, corrente nominal do coletor (Ic) de 1000 A, corrente de pico do coletor (Icm) de 1200 A, e tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) típica de 2.0 V.