Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tecnologia IGBT | TrenchField™ |
|---|---|
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 700 V |
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
| Configuração | 3-fase Ponte Retificadora |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia renovável, acionamentos de motor |
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FB50R07W2E3_C36?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 700 V.
Em quais aplicações o FB50R07W2E3_C36 é tipicamente utilizado?
O FB50R07W2E3_C36 é projetado para inversores solares, sistemas de energia renovável e acionamentos de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
A faixa de temperatura de operação do FB50R07W2E3_C36 é de -40 °C a +125 °C.