Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | IGBT4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 600 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 20 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Número de chaves | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no módulo FB20R06W1E3_B11?
O módulo FB20R06W1E3_B11 utiliza a tecnologia IGBT4.
Qual a faixa de temperatura de operação do FB20R06W1E3_B11?
A faixa de temperatura de operação do FB20R06W1E3_B11 é de -40 °C a +150 °C.
Quais as características elétricas principais do FB20R06W1E3_B11?
O FB20R06W1E3_B11 possui tensão do coletor-emissor (Vces) de 600 V, corrente contínua do coletor (Ic) de 20 A, tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) de 1.7 V (típico), tensão gate-emissor (Vge) de ±20 V, corrente de gate (Ig) de 200 mA e resistência térmica junção-case (RthJC) de 0.65 K/W.