Descrição
Módulo de potência IGBT de 1200V com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 475 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Diodo de freio | Integrado (Fast Diode) |
| Número de fases | 3 |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40°C a 125°C |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 950 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.05 K/W |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do IGBT Infineon F475R12MS4?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do IGBT Infineon F475R12MS4 é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo Infineon F475R12MS4 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a 125°C.
Qual o tipo de encapsulamento e qual a corrente contínua do coletor?
O módulo Infineon F475R12MS4 possui encapsulamento EconoDUAL™ 3 e a corrente contínua do coletor (Ic) é de 475 A.