Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT3 |
|---|---|
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 700 V |
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 475 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) | 750 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Tipo de diodo de roda livre | Fast Diode |
| Tensão nominal do diodo (Vf) | 1.5 V (típico) |
| Corrente nominal do diodo (If) | 475 A |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.05 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de semicondutores | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
FAQ
Qual a tecnologia IGBT utilizada no módulo Infineon F475R07W2H3B51?
O módulo utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT3.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
A faixa de temperatura de operação do módulo Infineon F475R07W2H3B51 é de -40 °C a +150 °C.
Quais as principais características de corrente e tensão do módulo?
O módulo possui tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 700 V, corrente nominal do coletor (Ic) de 475 A, corrente nominal do coletor em pulso (Ic, pulse) de 750 A e tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) de 1.75 V (típico).