Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de freewheeling, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 600 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 475 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 900 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.04 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Diodo de freewheeling integrado | Sim |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor suportada pelo módulo de potência Infineon F475R06W1E3?
A tensão do coletor-emissor (Vces) suportada é de 600 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo F475R06W1E3?
O módulo de potência F475R06W1E3 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
O módulo F475R06W1E3 possui diodo de freewheeling integrado?
Sim, o módulo Infineon F475R06W1E3 possui um diodo de freewheeling integrado.