Infineon F475R06W1E3: Módulo IGBT de Alta Potência para Aplicações Exigentes
O Infineon F475R06W1E3 é um módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de quatro pacotes, projetado para aplicações de alta potência que exigem desempenho e confiabilidade excepcionais. Com uma tensão de coletor-emissor de 600V e uma corrente de coletor de 75A, este dispositivo é ideal para uma variedade de aplicações industriais, como inversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), soldagem e aquecimento por indução.
Especificações Técnicas do F475R06W1E3
- Tecnologia: IGBT3 – E3
- Configuração: Fourpack
- Tensão coletor-emissor (VCES): 600V
- Corrente de coletor (IC): 75A
- VCE(sat) (Tvj=25°C typ): 1.45V
- Dissipação de potência (TC=25°C): 300W
- Temperatura de junção operacional (Tj): -40°C a 175°C
- Encapsulamento: EasyPACK™ 1B
Características e Benefícios do Módulo IGBT Infineon
O módulo IGBT F475R06W1E3 oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para projetos de alta potência:
- Alta eficiência: Baixas perdas de condução e chaveamento, resultando em maior eficiência energética e menor geração de calor.
- Robustez e confiabilidade: Tecnologia IGBT3 – E3 comprovada, garantindo alta robustez e confiabilidade em ambientes industriais desafiadores.
- Facilidade de uso: Encapsulamento EasyPACK™ 1B, que oferece fácil montagem e conexões simplificadas.
- Excelente desempenho térmico: Design otimizado para dissipação de calor, permitindo operação em altas temperaturas.
Aplicações do F475R06W1E3
Este módulo IGBT é adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Inversores de frequência para motores AC
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de soldagem
- Aquecimento por indução
- Conversores de energia
- Controladores de velocidade para motores
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Observação: As informações fornecidas nesta descrição são para fins informativos. Consulte a folha de dados oficial do produto para obter especificações detalhadas e diretrizes de aplicação.
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