Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 450 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 900 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic,o) | 2 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Capacitância de entrada (Cies) | 12.5 nF |
| Capacitância de saída (Coes) | 1.2 nF |
| Capacitância de transferência reversa (Cres) | 0.3 nF |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.05 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon F450R12KS4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo Infineon F450R12KS4 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as características do diodo de freio integrado e a tecnologia do IGBT?
O módulo possui um diodo de freio integrado (Fast Diode) e utiliza a tecnologia IGBT 4.