Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 450 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.05 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT3
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente nominal do Infineon F450R07W2H3B51?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 700 V e a corrente nominal contínua do coletor (Ic) é de 450 A.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O Infineon F450R07W2H3B51 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características do F450R07W2H3B51?
O F450R07W2H3B51 utiliza tecnologia IGBT3, apresenta baixas perdas de condução e chaveamento, alta densidade de potência e isolamento galvânico integrado.