Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 4100 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 4100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Construção robusta para aplicações industriais
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon F4100R12KS4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo Infineon F4100R12KS4 pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a 125 °C.
Quais são as características de corrente e tecnologia do F4100R12KS4?
Este módulo IGBT possui corrente nominal contínua do coletor (Ic) e corrente nominal pulsada do coletor (Icm) de 4100 A. Ele utiliza a tecnologia IGBT 4.