Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo de roda livre | Fast Diode |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.36 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT F4-75R12KS4_B11 suporta?
A tensão do coletor-emissor (Vces) máxima é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo F4-75R12KS4_B11?
O módulo F4-75R12KS4_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Em quais aplicações o módulo F4-75R12KS4_B11 é tipicamente usado?
O módulo F4-75R12KS4_B11 é projetado para aplicações de inversor solar e UPS, com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de roda livre Fast Diode.