Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Configuração | Half-bridge |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico otimizado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon F4-50R12KS4_B11?
O módulo IGBT Infineon F4-50R12KS4_B11 opera com uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as características do diodo de freio integrado neste módulo?
O Infineon F4-50R12KS4_B11 possui um diodo de freio integrado (Fast Diode). Este componente, juntamente com a tecnologia IGBT 4, contribui para baixas perdas de condução e comutação.
Em quais faixas de temperatura o Infineon F4-50R12KS4_B11 pode operar?
O módulo Infineon F4-50R12KS4_B11 opera em uma faixa de temperatura que varia de -40 °C a 150 °C.