Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal (Ic) | 50 A |
| Configuração | Half-bridge |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodos de roda livre integrados (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do módulo Infineon F4-50R12KS4?
O módulo F4-50R12KS4 possui uma tensão nominal de 1200 V (Vces).
Quais as temperaturas de operação do módulo F4-50R12KS4?
O módulo F4-50R12KS4 opera em temperaturas que variam de -40 °C a 150 °C.
Quais as características do encapsulamento e configuração do F4-50R12KS4?
O F4-50R12KS4 utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3 e possui configuração half-bridge. Além disso, possui diodos de roda livre integrados (Fast Diode) e utiliza tecnologia IGBT 4.