Descrição
Módulo de potência trifásico 3 level com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodos de recuperação rápida. Projetado para aplicações de inversores solares e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
|---|---|
| Configuração | 3-level (3L) |
| Corrente nominal (Irms) | 50 A |
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 700 V |
| Tensão de isolamento (Viso) | 2500 Vrms |
| Diodos | Diodos de recuperação rápida (Fast Recovery Diodes) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de fases | Trifásico |
| Temperatura de operação | -40°C a 125°C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia renovável, drives de motor |
Recursos
- Baixa indutância de stray
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tecnologia IGBT utilizada no Infineon F4-3L50R07W2H3F_B11?
O módulo de potência utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4.
Quais as aplicações típicas do Infineon F4-3L50R07W2H3F_B11?
O produto é projetado para aplicações em inversores solares, sistemas de energia renovável e drives de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do Infineon F4-3L50R07W2H3F_B11?
O módulo de potência opera em uma faixa de temperatura de -40°C a 125°C.