Descrição
Módulo de potência Infineon com tecnologia CoolSiC™ MOSFET, projetado para aplicações de alta eficiência e densidade de potência.
Especificações
| Tecnologia | SiC MOSFET |
|---|---|
| Tensão nominal | 1700 V |
| Corrente nominal | 250 A |
| Configuração | Half-bridge |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Tensão de gate | gate (VGS): ±20 V |
| Tensão de drain | source (VDS): 1700 V |
| Corrente de drain contínua (ID) | 250 A |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Baixa perda de comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no Infineon F4-250R17MP4_B11?
O módulo de potência Infineon F4-250R17MP4_B11 utiliza a tecnologia CoolSiC™ MOSFET, também conhecida como SiC MOSFET.
Quais as aplicações típicas do Infineon F4-250R17MP4_B11?
As aplicações típicas do Infineon F4-250R17MP4_B11 incluem inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação industriais.
Quais as especificações de tensão e corrente do Infineon F4-250R17MP4_B11?
O módulo tem uma tensão nominal de 1700 V, uma corrente nominal de 250 A, tensão de gate (VGS) de ±20 V, tensão de drain-source (VDS) de 1700 V, e corrente de drain contínua (ID) de 250 A.