Descrição
Transistor IGBT de alta potência da família E4 da Infineon, projetado para aplicações de conversão de energia.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1700 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 100 A |
| Corrente de Pico de Coletor (Icm) | 300 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 100 A, 25°C: 1.8 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) nominal: ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) máxima | 0.5 A |
| Potência de Dissipação (Ptot) a 100°C | 1200 W |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a +150°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Resistência Térmica Coletor | Case (RthJC): 0.08 K/W |
| Isolamento | Simples |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, acionamentos de motores industriais |
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor F4-100R17N3E4 suporta?
A tensão Coletor: Emissor (Vces) é de 1700 V.
Quais as temperaturas de operação do F4-100R17N3E4?
A temperatura de operação (Tj) varia de -40°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do F4-100R17N3E4?
O F4-100R17N3E4 é utilizado em inversores solares, UPS e acionamentos de motores industriais.