Descrição
Módulo de potência trifásico Infineon com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT3, projetado para aplicações de inversores solares e UPS.
Especificações
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ IGBT3 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 700 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 150 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | Trifásica |
Recursos
- Diodo de roda livre integrado
- Baixa perda de condução e comutação
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no módulo de potência Infineon F3L75R07W2E3_B11?
O módulo utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT3.
Qual a faixa de temperatura de operação do F3L75R07W2E3_B11?
A temperatura de operação (Tj) varia de -40 °C a 150 °C.
Quais as aplicações típicas do módulo F3L75R07W2E3_B11?
O módulo de potência é projetado para aplicações em inversores solares e UPS.