Infineon F3L225R12W3H3_B11

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Módulo de potência trifásico IGBT com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

SKU: F3L225R12W3H3_B11 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência trifásico IGBT com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 225 A
Package EconoDUAL™ 3
Tensão de isolamento 4000 Vrms
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Resistência térmica junção a-case (RthJC): 0.32 K/W
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, UPS, acionamentos de motor
Número de fases 3

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta velocidade
  • Diodo de freio integrado (EmCon)

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do IGBT Infineon F3L225R12W3H3_B11?

A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.

Quais as aplicações típicas do módulo de potência F3L225R12W3H3_B11?

O módulo F3L225R12W3H3_B11 é utilizado em inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e acionamentos de motor.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?

A faixa de temperatura de operação do módulo é de -40 °C a +125 °C.

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