Descrição
Módulo de potência trifásico IGBT com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 700 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 200 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Diodo de freio | Diode Fast Recovery |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 1.2 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de fases | 3 |
| Temperatura de operação | -40°C a 150°C |
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor do Infineon F3L200R07W2S5F_B11?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do módulo é de 700 V.
Em qual faixa de temperatura o módulo F3L200R07W2S5F_B11 pode operar?
O módulo Infineon F3L200R07W2S5F_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a 150°C.
Qual a tecnologia IGBT e o tipo de diodo de freio do F3L200R07W2S5F_B11?
O módulo utiliza a tecnologia IGBT Trench Fieldstop e possui um diodo de freio Fast Recovery.