Infineon F3L150R07W2H3_B11

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Módulo IGBT Infineon F3L150R07W2H3_B11 – Alta Potência e Eficiência

Procurando um módulo IGBT trifásico de alta performance para sua aplicação? Apresentamos o Infineon F3L150R07W2H3_B11, um componente de potência que combina alta capacidade de bloqueio de tensão (650V) com baixa indutância e perdas de comutação reduzidas. Perfeito para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade, como inversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e sistemas de energia solar.

Especificações Técnicas do F3L150R07W2H3_B11:

  • Tecnologia de chip IGBT TRENCHSTOP™ 3 para maior eficiência e desempenho
  • Tensão coletor-emissor (VCES): 650V
  • Corrente de coletor (IC): 150A
  • Frequência de comutação: até 20kHz
  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Temperatura de junção máxima (Tj): 175°C
  • Encapsulamento EasyPACK™ 2B com isolamento de Al2O3

Aplicações do Módulo IGBT Infineon:

O F3L150R07W2H3_B11 é ideal para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo:

  • Inversores de frequência para motores AC
  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
  • Conversores de energia para sistemas de energia solar e eólica
  • Sistemas de acionamento para máquinas industriais
  • Soldagem

Benefícios do F3L150R07W2H3_B11:

Este módulo IGBT oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para suas necessidades de projeto:

  • Alta eficiência energética, reduzindo perdas de energia e custos operacionais
  • Excelente desempenho térmico, garantindo operação confiável em altas temperaturas
  • Design compacto e robusto, facilitando a integração em seus projetos
  • Tecnologia avançada da Infineon, sinônimo de qualidade e confiabilidade

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Observação: As especificações podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as informações mais atualizadas.

Infineon F3L150R07W2H3_B11

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