Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de freio, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 900 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 1800 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | Module |
| Diodo de freio integrado | Sim |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.03 K/W |
| Tensão de isolamento | 4000 Vrms |
FAQ
Qual a tensão de isolamento do módulo DF900R12IP4D?
A tensão de isolamento do módulo é de 4000 Vrms.
Qual a faixa de temperatura de operação do DF900R12IP4D?
A temperatura de operação (Tj) do módulo é de -40 °C a +150 °C.
Quais as características elétricas principais do IGBT DF900R12IP4D?
O DF900R12IP4D possui tecnologia TrenchField IGBT4, tensão do coletor-emissor (Vces) de 1200 V, corrente contínua do coletor (Ic) de 900 A, tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) de 2.0 V (típico), corrente de pico do coletor (Icm) de 1800 A, tensão de gate-emissor (Vge) de ±20 V, corrente de gate (Ig) de 1.5 A, e resistência térmica junção-case (RthJC) de 0.03 K/W. Ele possui um diodo de freio integrado e é encapsulado em um módulo.